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正如华国京城某间实验室中一样，这样的场景不断重复在世界各地中。
模拟空间中，一下午的时间很快就过去了。
经历过整整六次的渗透处理后，太阳也下山了。
但今天的直播到现在还不能停下。
渗透处理过后的碳化硅晶材需要更进一步处理，将刚注
的铝离子稳定下来，形成可用的N-漂移层。
至于稳定的方法，那就是通过高温进行退火处理。
清洗
净的碳化硅晶材吹后整齐的倒放在燥的玻璃容器中，韩元从一旁的材料中翻出来一个透明塑料袋。
里面是细细的黑色
末，上面还有一个纸制标签，写着‘碳’两字。
将袋子打开，里面碳取出来装注了铝离子的沟槽中，覆盖住整个沟槽。
三十颗碳化硅晶材全都处理好后装金属盘中，然后送高温熔炉中。
熔炉中的温度控制在一千一到一千四百度之间。
这一步很重要，通过高温加碳在碳化硅晶材的N+漂移层上形成一道保护膜，可以稳定有效的控制住N-漂移层中的电子流失。
高温退火的过程是三个小时左右。
从太阳下山，一直到月亮升起，韩元才将熔炉中的碳化硅晶材拿出来，冷却后清理掉多余的碳。
处理完成后的碳化硅晶材的N-漂移层再通过浓硫酸来清理掉顽固的碳渣。
这一步完成后，韩元才松了
气。
碳化硅晶体管中最难处理的N-漂移层他已经制备完成了。
剩下的，明天再来处理就行了。
和直播间里面观众打了个招呼，他便停下了直播。
N-漂移层处理完成后，剩下的工作相对而言就简单多了。
当然，这只是针对他制造的这种碳化硅晶体管来说的。
如果是现代化的集成芯片，后面还需要注P阱、P+接触区、N+接触点、P-区域等一些列的步骤。
麻烦程度可不止一点半点的。
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